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氮化硅（N型，未摻雜）模板（100nm）在Si（111）N型P摻雜上，5x5x0.279mm，1sp R：1-10 ohm.cm

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  • 產(chǎn)品名稱：氮化硅（N型，未摻雜）模板（100nm）在Si（111）N型P摻雜上，5x5x0.279mm，1sp R：1-10 ohm.cm
  • 產(chǎn)品型號：GaN
  • 產(chǎn)品展商：MTI
  • 產(chǎn)品文檔：無相關(guān)文檔
簡單介紹

硅上的GaN模板是通過基于氫化物氣相外延（HVPE）的方法制成的。在HVPE過程中，HCl與熔融的Ga反應(yīng)形成GaCl，然后與NH3反應(yīng)形成GaN。硅上的GaN模板是替換GaN單晶襯底的一種經(jīng)濟(jì)有效的方法。 規(guī)格： GaN標(biāo)稱厚度：0.1μm±0.1μm 前表面光潔度（Ga面）：<1nm RMS，生長， 背面處理：硅（111）N型P摻雜R：1-10 ohm.cm GaN方向：C平面（00.1） *性：Ga面 導(dǎo)電類型：未摻雜（N-）和電阻率：<0.05 Ohm-cm 宏觀缺陷密度：<1 / cm ^ 2 晶圓底座：硅[111]，5x5x0.279mm，一側(cè)拋光 ? 這里是?200nm的AlN緩沖硅和GaN層之間

產(chǎn)品描述

硅上的GaN模板是通過基于氫化物氣相外延（HVPE）的方法制成的。在HVPE過程中，HCl與熔融的Ga反應(yīng)形成GaCl，然后與NH3反應(yīng)形成GaN。硅上的GaN模板是替換GaN單晶襯底的一種經(jīng)濟(jì)有效的方法。

規(guī)格： 
  • GaN標(biāo)稱厚度：0.1μm±0.1μm
  • 前表面光潔度（Ga面）：<1nm RMS，生長，
  • 背面處理：硅（111）N型P摻雜R：1-10 ohm.cm
  • GaN方向：C平面（00.1）
  • *性：Ga面
  • 導(dǎo)電類型：未摻雜（N-）和電阻率：<0.05 Ohm-cm
  • 宏觀缺陷密度：<1 / cm ^ 2
  • 晶圓底座：硅[111]，5x5x0.279mm，一側(cè)拋光
  • ? 這里是?200nm的AlN緩沖硅和GaN層之間 
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