在HO-ED-F-03型中，組件安裝在光學(xué)面包板上（800 x 600mm）以進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。光學(xué)面包板的使用使系統(tǒng)更加靈活，并有助于輕松設(shè)置實(shí)驗(yàn)。在此模型中，可以以所需的配置將各種組件布置在面包板上。在整個(gè)面包板上的25mm網(wǎng)格處有M6螺孔，以方便安裝。
數(shù)值孔徑由下式給出：
NA = Sin θa
當(dāng)入射角在彎曲半徑太小且不能滿足全內(nèi)反射的條件下減小時(shí)，光纖的彎曲會(huì)導(dǎo)致發(fā)射損耗和衰減增加。在該實(shí)驗(yàn)中，使用變化半徑的設(shè)備來研究所涉及的彎曲損耗。當(dāng)使纖維在各種直徑上彎曲規(guī)定的匝數(shù)時(shí)，會(huì)根據(jù)直徑發(fā)生損耗，并且可以看出，損耗隨著直徑的減小而增加。
接頭損失是由許多因素引起的。當(dāng)兩個(gè)光纖芯完全相同且完全對齊，熔接正確完成且沒有污垢時(shí)，損耗將降至*低。只有耦合到接收光纖纖芯中的光才會(huì)傳播，因此其余所有光都會(huì)變成熔接損耗。
在光纖中，歸一化頻率，V數(shù)由下式給出：
V = ( 2πa / λ ) √ ( n1 - n2 )
V = ( 2πa / λ ) NA
其中a 是纖芯半徑，λ是真空中的波長，n 1是纖芯的*大折射率，n 2是均勻包層的折射率，并應(yīng)用數(shù)值孔徑NA的常規(guī)定義。
對于單模光纖中的高斯功率分布（通信中使用的激光具有高斯功率分布），將模式場直徑（MFD）定義為將電場和磁場強(qiáng)度減小至1 / e 2的點(diǎn)。它們的*大值，即功率減小到峰值功率的1 / e 2 （0.135）的直徑（因?yàn)樵摴β逝c場強(qiáng)的平方成正比）。對于單模光纖，峰值功率位于纖芯的中心。
根據(jù)斯涅爾定律，
V = sin i / sin r
其中，n是透明介質(zhì)的折射率，i 是光進(jìn)入介質(zhì)的角度，r是光被折射的角度。
特征 簡單靈活 基于單模和多模光纖的實(shí)驗(yàn) 二*管激光器用作光源 高精度激光耦合器 光電晶體管型光電探測器 剛性底座 無腐蝕組件