光敏電阻或光敏電阻（LDR）是電阻，其電阻隨入射光強(qiáng)度的增加而減小。光檢測操作取決于以下事實(shí)：某些材料（如硫化鎘（CdS））的電阻會隨著落在薄膜表面的光強(qiáng)度而變化。

發(fā)光二*管（LED）是半導(dǎo)體光源。當(dāng)發(fā)光二*管正向偏置時(shí)，電子能夠與器件內(nèi)的空穴復(fù)合，從而以光子的形式釋放能量。這種效應(yīng)稱為電致發(fā)光，光的顏色由半導(dǎo)體的能隙決定。在這里，我們發(fā)現(xiàn)輸入電壓V和正向電流I之間的關(guān)系。通過改變偏置電源，可以在適當(dāng)?shù)牟襟E中將偏置電壓從零增加到V。在每個步驟中都會記錄連接到LED的電流表中的相應(yīng)讀數(shù)。在V和I之間繪制的圖形表示VI特性。

在光電晶體管中，基*區(qū)域被擴(kuò)大并且通常不具有附接到其上的引線。集電*-基*結(jié)對落在其上的光敏感。當(dāng)光落在基*結(jié)上時(shí)，會產(chǎn)生與光強(qiáng)度成比例的基*電流。這將啟動與光強(qiáng)度成比例的集電*電流。

光電二*管是一種能夠根據(jù)操作模式將光轉(zhuǎn)換為電流或電壓的光電檢測器。當(dāng)足夠能量的光子撞擊二*管時(shí)，它將激發(fā)電子，從而產(chǎn)生一個自由電子和一個帶正電的電子空穴。如果吸收發(fā)生在結(jié)的耗盡區(qū)中，或遠(yuǎn)離結(jié)的一個擴(kuò)散長度，則這些載流子會被耗盡區(qū)的內(nèi)置場從結(jié)中**。因此，空穴朝著陽*移動，電子朝著陰*移動，并產(chǎn)生了光電流。該光電流是暗電流（無光）和亮電流的總和，因此必須將暗電流降至zui低，以增強(qiáng)器件的靈敏度。

太陽能電池是一種半導(dǎo)體器件，當(dāng)被光照射時(shí)會產(chǎn)生電動勢。當(dāng)光照射到pn結(jié)附近的太陽能電池表面時(shí)，晶體被離子化，并生成新的電子空穴對。這些在n和p區(qū)域中產(chǎn)生的電子和空穴向結(jié)擴(kuò)散，如果它們沒有時(shí)間重新結(jié)合，則它們會受到結(jié)中存在的內(nèi)部電場的影響。電場迫使電子移動到n區(qū)域，空穴移動到p區(qū)域。這會在p區(qū)域產(chǎn)生過多的空穴，而在n區(qū)域產(chǎn)生過多的電子。這些電子和空穴在它們各自的區(qū)域中積聚電荷，并且在整個電池上出現(xiàn)稱為光電動勢的電勢差。

光耦合器或光隔離器本質(zhì)上是一種使用短光路將電信號從一個區(qū)域耦合到另一個區(qū)域的設(shè)備。盡管光耦合器的尺寸根據(jù)應(yīng)用和規(guī)格的不同而不同，但通常情況下，光耦合器被封裝在一個小封裝中，通常圍繞著一個小型集成電路的尺寸。