Holmarc的霍爾效應(yīng)設(shè)備（型號(hào)：HO-ED-EM-06）采用***的模塊和組件設(shè)計(jì)。數(shù)字顯示用于所有值的讀出。電磁體，高斯計(jì)，電源等被設(shè)計(jì)和制造為單獨(dú)的模塊，以使學(xué)生輕松了解設(shè)備和所涉及的原理。在設(shè)備設(shè)計(jì)中應(yīng)充分考慮**性
該系統(tǒng)由兩個(gè)dan藥筒組成，每個(gè)dan藥筒都裝有“ p”和“ n”摻雜的鍺晶體。dan藥筒可輕松**地插入D連接器系統(tǒng)。霍爾效應(yīng)設(shè)置提供樣品的所有操作參數(shù)，并顯示霍爾電壓，樣品電流以及樣品溫度。摻雜的鍺樣品用于測(cè)量霍爾電壓，該電壓是樣品電流，磁通密度和樣品溫度的函數(shù)。
在電磁鐵的兩*之間引入高斯計(jì)探頭。將電流從零更改為*大值，然后從*大值更改為零。注意高斯計(jì)在不同時(shí)間間隔的相應(yīng)場(chǎng)強(qiáng)。繪制圖表磁場(chǎng)Vs電流。
半導(dǎo)體中的電子只有在獲得足夠的熱能以達(dá)到導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)才可以進(jìn)行導(dǎo)電。這使得載流子濃度高度依賴于溫度。
將樣品控制探針連接到霍爾效應(yīng)控制，然后打開(kāi)霍爾效應(yīng)設(shè)置。以相等的間隔使樣本電流從零變化到*大值。注意相應(yīng)的霍爾電壓讀數(shù)。繪制圖表，霍爾電壓作為采樣電流的函數(shù)。
我們從等式中獲得載流子密度，
n = [ 1 / ( RH e ) ] c m3
我們從等式中獲得了運(yùn)營(yíng)商流動(dòng)性
μ = RH . σ c m2 Volt-1 sec-1
其中σ是材料的電導(dǎo)率
霍爾電壓V H是由于洛倫茲力引起的運(yùn)動(dòng)電荷載流子在磁場(chǎng)中的偏轉(zhuǎn)所引起的，洛倫茲力的方向可以通過(guò)右手定則進(jìn)行預(yù)測(cè)。因子 1 /（NE）被稱為霍爾系數(shù)[R ?。
RH = ( VH / B ) x ( d/IH ) c m3 Coulomb-1
B-磁通密度
I H-通過(guò)半導(dǎo)體的電流
d-導(dǎo)體厚度
n-載流子濃度